在2023年第三季度财报电话会议上，美光宣布了其各种DRAM和内存产品的当前进展，包括即将推出的用于图形的GDDR7内存。该公司透露，他们正在开发下一代GDDR7内存，将于2024年上半年或明年上市。

在图形领域，行业分析师继续预计，在客户端和数据中心应用程序的支持下，图形技术的TAM复合年增长率(CAGR)将超过整个市场。我们预计客户库存将在第三季度恢复正常。我们计划于2024年上半年在行业领先的1ß节点上推出下一代G7产品。

据美光称，GDDR7内存将基于1ß工艺节点，预计2025年将被1γ工艺节点取代，生产计划于2025年进行。EUV节点将首先在美光工厂生产，该工厂已经安装了EUV功能，然后转移到日本广岛工厂。

根据之前的信息我们得知，GDDR7显存已经进入验证阶段，首批解决方案由Cadeance提供给客户。

三星GDDR7内存通过PAM3信号传输速率高达36Gbps2

GDDR7内存解决方案将在尚未发挥其峰值潜力的GDDR6和GDDR6X解决方案中取得成功。新标准将带来对PAM3信令的支持以及高达36Gbps的更快引脚速度。目前，最快的内存解决方案是NVIDIAGeForceRTX40系列显卡采用的GDDR6X内存解决方案，可提供高达22Gbps的引脚速度，而AMD的RadeonRX7000系列显卡则采用标准20GbpsGDDR6解决方案。仅供比较，36Gbps引脚速度解决方案将提供以下带宽数据：

128位@36Gbps：576GB/秒

192位@36Gbps：846GB/秒

256位@36Gbps：1152GB/秒

320位@36Gbps：1440GB/秒

384位@36Gbps：1728GB/秒

由于三星已经在同时开发其GDDR6W设计和GDDR7解决方案，GDDR6一代还有很多东西可以利用，这将使容量和性能翻倍，而美光预计将在未来将GDDR6X推向更高的速度。该公司已经批量生产24Gbps芯片，但尚未被任何消费级GPU使用。

考虑到NVIDIA的AdaLovelace-NextGPU预计要到2025年才会推出，AMD很可能会成为第一个利用美光GDDR7内存芯片的公司。与此同时，NVIDIA是美光在人工智能和数据中心领域的最大客户之一，正在为DGXGH200超级集群和其余的Hopper芯片提供HBM3芯片。GDDR7肯定会大大提高内存带宽，但与GDDR6/GDDR6X芯片相比，它的价格也很高，因此下一代显卡仍然需要考虑这一点。