Snapdragon8Gen3刚刚在GalaxyS24+的基准测试中被发现，该组件预计将采用1+2+3+2的核心配置。这似乎表明处理器将搭载更多的“性能”核心和更少的“效率”核心。该芯片组将进行超频，这是Snapdragon“forGalaxy”系列的标志。如果使用台积电的3nm模式生产，使用该SoC的设备应该会在性能和能效方面获得显着提升。

尽管Snapdragon8Gen3尚未公布，但过去第一个向世界透露高通Snapdragon芯片组命名方式变化的爆料者数字聊天站(来自Wccftech)已经透露了一些消息关于Snapdragon8Gen4。随着高通去年以14亿美元收购Nuvia，该公司将生产定制核心来取代Arm的Cortex核心。

据数码闲聊站报道，高通将采用苹果已经在其A系列芯片组上采用的配置，该配置具有两个性能核心和六个功率/效率核心。爆料者称，Snapdragon8Gen4将由两个PhoenixLCPU核心和六个PhoenixMCPU核心组成。据报道，新内核将支持RAM、LPDDR6的下一次升级，并将使用台积电的N3E工艺节点生产。

台积电N3E工艺节点是全球领先代工厂生产的第二代3nm芯片，预计将在三方面引人注目。它将比第一个3nm节点便宜，第一个3nm节点将除苹果(其典型的批量折扣)之外的智能手机制造商排除在市场之外。据报道，它降低了您可能期望从尖端节点的增强版本中获得的性能和能效改进。

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正如Wccftech还指出的那样，我们可以看到产量的提高，再加上生产成本的降低，这就是为什么更多的手机制造商在转向3nm手机芯片组之前一直在等待N3E工艺节点的原因。当工艺节点用于制造Snapdragon8Gen4时，生产端应该可以顺利运行。

根据三星是否会为GalaxyS24系列回归经过改进的传闻中的十核Exynos2400(上述Geekbench测试表明这不会发生)，适用于Galaxy芯片的Snapdragon8Gen4及其新定制的-内部CPU核心，可能为GalaxyS25系列提供动力。